В учебном пособии рассмотрены физические основы процессов, определяющих принип действия полупроводниковых приборов, явления переноса и контактные явления в полупроводниках и структурах металл–полупроводник, металл–диэлектрик–полупроводник. Рассмотрены устройство, принцип действия и характеристики основных полупроводниковых приборов с р-n-переходами и диода Ганна.
Предназначено для бакалавров старших курсов направления «Микроэлектроника и наноэлектроника».
Оглавление
Введение ... 7
Глава 1. Некоторые сведения из физики полупроводников ... 8
Глава 2. Барьеры Шоттки, p-n-переходы и гетеропереходы ... 16
Глава 3. Физика поверхности ... 59
Глава 4. Полупроводниковые диоды ...71
Глава 5. Биполярные транзисторы ... 93
Глава 6. Полевые транзисторы ... 145
Глава 7. Тиристоры ... 214
Глава 8. Диоды Ганна ... 233
Заключение ... 249
Рекомендуемая литература ... 250
Просмотров: 1282 
