Содержание:

ПРЕДИСЛОВИЕ
1.    ПРОСТЕЙШИЕ КОМПОНЕНТЫ
1.1.    Резисторы
1.2.    Варисторы и негисторы
1.3.    Терморезисторы
1.4.    Конденсаторы
1.5.    Ионисторы
1.6.    Моточные компоненты
1.6.1.    Катушки индуктивности и дроссели
1.6.2.    Трансформаторы и пье ютрансформаторы
2.    ПОЛУПРОВОДНИКИ И ПЕРЕХОДЫ
2.1. Общие сведения об электропроводности веществ
2.1.1.    Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники
2.1.2.    Носители заряда. Проводимости полупроводников: собственная и примесная
2.1.3.    Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них
2.2. Электронно-дырочный переход
2.2.1. Получение электронно-дырочного перехода
2.2.2.    Прямое и обратное включения электронно-дырочных переходов
2.2.3.    Ёмкости и частотные свойства электронно-дырочных переходов
2.2.4.    Пробои электронно-дырочных переходов
2.3. Переход и диод Шоттки: получение и включения в прямом и обратном направлении
2.4. Гетеропереходы
2.5. Эффекты полупроводников
2.5.1.    Эффект Ганна
2.5.2.    Эффект поля
2.5.3.    Эффект Суля
2.5.4.    Эффекты Пельтье и Зеебека
2.5.5.    Туннельный эффект
2.5.6.    Эффект Холла
3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
3.1. Конструкция и основные нарамегры полупроводниковых диодов
3.l.l. Общие сведения о полупроводниковых диодах
3.1.2.    Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов
3.1.3.    Некоторые основные параметры полупроводниковых диодов
3.2.    Выпрямительные диоды
3.3.    Импульсные диоды
3.4. Варикапы
3.5.    Стабилитроны и стабисторы
3.6.    Светодиоды
3.7.    Полупроводниковые лазеры
3.8.    Фотодиоды
4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4.1.    Общие сведения о транзисторах
4.2.    Конструкция некоторых биполярных транзисторов
4.3.    Принцип действия биполярных транзисторов
4.4.    Схемы включения биполярных транзисторов
4.4.1.    Схема включения транзистора с общим эмиттером
4.4.2.    Схема включения транзистора с общим коллектором
4.4.3.    Схема включения транзистора с общей базой
4.5.    Биполярные фототранзисторы
4.6.    Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов
4.7.    Влияние температуры на режимы работы биполярных транзисторов
5. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
5.1.    Общие сведения о полевых транзисторах
5.2.    Полевые транзисторы с управляющим переходом
5.2.1.    Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом
5.2.2.    Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом
5.3.    Полевые транзисторы с изолированным затвором
5.3.1.    Полевые транзисторы со встроенным каналом
5.3.2.    Полевые транзисторы с инду цированным каналом
5.4.    Режимы работы полевых транзисторов
5.4.1.    Динамический режим работы транзистора
5.4.2.    Ключевой режим работы транзистора
6.    БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМИ ЗАТВОРАМИ
6.1.    Общие сведения о БТИЗ
6.2.    Конструкция и принцип действия БТИЗ
6.3.    Основные параметры БТИЗ
7.    ТИРИСТОРЫ
7.1.    Общая информация о тиристорах
7.2.    Динисторы
7.3.    Тринисторы
7.4.    Запираемые тиристоры
7.5.    Симисторы
7.6.    Фототиристоры
7.7.    Основные параметры тиристоров
8. ВАКУУМНЫЕ И ИОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
8.1.    Общие сведения об электровакуумных приборах
8.2.    Электровакуумные диоды
8.2.1.    Конструкция и принцип действия электровакуумных диодов
8.2.2.    Основные параметры и анодная характеристика электровакуумных диодов
8.3.    Триоды
8.3.1.    Констру кция и принцип действия триодов
8.3.2.    Основные характеристики и параметры триодов
8.4.    Тетроды
8.4.1.    О тетродах и влиянии экранирующих сеток на их параметры
8.4.2.    Динатронный эффект
8.5.    Лучевые тетроды
8.6.    Пентоды
8.7.    Ламны бегущей волны
8.8.    Ламны обратной волны
8.9.    Пролётные клистроны
8.10.    Магнетроны
8.11.    Мазеры
8.12.    Тиратроны
8.13.    Крайтроны и спрайтроны
9.    ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ
9.1.    Интегральные микросхемы
9.2.    Плёночные микросхемы
9.3.    Гибридные интегральные микросхемы
9.4.    Полупроводниковые микросхемы
10.    УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ
10.1.    Индикаторы
10.1.1.    Светодиодные индикаторы
10.1.2.    Жидкокристаллические индикаторы
10.2.    Общие сведения об электронно-лучевых трубках
10.3.    Жидкокристаллические дисплеи и панели
10.3.1.    Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях
10.3.2.    Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев
10.3.3.    Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев
10.3.4.    Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу
10.4.    Плазменные нанелп
10.5.    Органические светодиодные дисплеи
10.6.    Дисплеи на углеродных нанотрубках
10.7.    Сенсорные экраны и классификация их типов
10.8.    Голографические системы
11. АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА
11.1.    Усилители сигналов и их классификации
11.2.    Основные параметры и характеристики усилителей
11.2.1.    Основные параметры усилителей
11.2.2.    Важнейшие характеристики усилителей
11.3.    Работа простейшего усилителя на различных частотах
11.4.    Выходные усилительные каскады
11.4.1.    Однотактный трансформаторный каскад
11.4.2.    Двухтактный трансформаторный каскад
11.4.3.    Двухтактный бестрансформаторный каскад
11.5.    Основные сведения о режимах работы усилителей
11.5.1.    Проходная динамическая характеристика и общие сведения о классах усиления
11.5.2.    Режим работы класса А
11.5.3.    Режим работы класса В
11.5.4.    Режим работы класса АВ
11.5.5.    Режим работы класса С
11.5.6.    Режим работы класса D
11.6.    Сведения об обратных связях и о влиянии, которое они оказывают на работу усилителей
11.6.1.    Основная информация об обратных связях
11.6.2.    Влияние обратных связей на коэффициенты усиления каскадов
11.7.    Автогенераторы
11.8.    Усилители постоянного тока
11.8.1.    Усилитель постоянного тока с непосредственными связями
11.8.2.    Дифференциальный усилитель
11.8.3.    Операционные усилители
11.8.4. Обзор некоторых параметров операционных усилителей
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ