В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов.
Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Оглавление
Глава 1. Начальныe сведення ... 9
Глава 2. Биполярный транзистор .... 59
Глава 3. МОП-транзитор ... 143
Глава 4. Полевой СВЧ-транзистор с барьером Шотки на основе арсенида галлия. Аналитическая модель ... 217
Глава 5. Гетероструктурные полевые транзисторы ... 291
Глава 6. Применение транзисторов в монолитных схемах СВЧ ... 349
Просмотров: 278 
