СЛАВНЫЕ ИМЕНА
«УЧЕНЫЕ, ОБЪЕДИНИВШИЕСЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ»..................................2
ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ
СТАНОВЛЕНИЕ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ.............................................5
НАШИ ИНТЕРВЬЮ
«...НЕЛЬЗЯ ЗАСТАВЛЯТЬ УЧЕНОГО ЗАНИМАТЬСЯ ТЕМ, ЧЕМ ОН НЕ ХОЧЕТ»..........................10
ТЕХНОЛОГИЯ УСПЕХА ............................22
ВЫСТАВКИ
«АВТОМАТИЗАЦИЯ. ЭЛЕКТРОНИКА -2014». «ЭЛЕКТРОТЕХ. СВЕТ-2014»...........................28
МЕЖДУНАРОДНЫЙ ФОРУМ «ИННОВАЦИИ. ИНВЕСТИЦИИ. ПЕРСПЕКТИВЫ»..................................28
КОНФЕРЕНЦИИ
МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА» – АКТУАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ.................29
КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
САМОФОКУСИРОВКА И ИЗЛУЧЕНИЕ ВАВИЛОВА-ЧЕРЕНКОВА
П.П. Трохимчук........................................32
Термодиффузия металлов при импульсном лазерном воздействии. С.С. Ануфрик, В.Ч. Белаш, С.В. Васильев, А.Ю. Иванов.............35
Импульсное лазерное воздействие на образец, находящийся в жидкости
С.В. Васильев, А.Ю. Иванов...................................................38
ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ АВТОКОРРЕЛЯ ЦИОННОЙ ФУНКЦИИ ИЗЛУЧЕНИЯ ФЕМТОСЕКУНДНОГО ПОЛУ ПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА
В.И. Лебедев, М.И. Марушенко................................42
ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛАНАРНЫХ ПЛАЗМОННЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ AG-ZNS
А.Д. Замковец, П .П. Першукевич................................................45
АНАЛИЗ ПЕРЕЗАРЯДКИ ГЛУБОКОУРОВНЕВОГО ДЕФЕКТА В ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕМ GAAS
А.П. Одринский.............................................49
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭМИССИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК XECL ЭКСИЛАМП БАРЬЕРНЫХ РАЗРЯДОВ
С.С. Ануфрик, А.П. Володенков, К.Ф. Зноско...................53
ТЕХНОЛОГИИ
ПРОЧНЫЙ, ПОЛНОСТЬЮ АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ОБЖИМ КОНТАКТОВ НА МНОГОЖИЛЬНЫХ
АЛЮМИНИЕВЫХ ПРОВОДАХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТЕХНОЛОГИИ LITEALUM
Х. Шмидт, Ф. Зайпель, В. Штаброт................................57
ПРАЙС-ЛИСТ..........................................64
Просмотров: 1490 
