Настоящий выпуск посвящен ВЧ и СВЧ компонентам, выпускаемым фирмой Mitsubishi Electric Corporation. Приведены технические характеристики мощных ВЧ и СВЧ транзисторов, ВЧ модулей, микросхем для СВЧ диапазона и фильтров ПАВ. Изложены рекомендации по их применению. Помещена информация по типу корпусов.
Для специалистов в области радиоэлектроники, студентов технических ВУЗов и широкого круга читателей.
Содержание
Введение ... 2
Радиоэлектронные компоненты на основе кремния ... 3
Мощные ВЧ и СВЧ транзисторы ... 3
ВЧ модули усилителей мощности ... 4
Модули для портативной аппаратуры ... 5
Модули для мобильной аппаратуры ... 8
Структурные схемы и характеристики ВЧ модулей ... 11
Арсенид-галлиевые ВЧ и СВЧ радиоэлектронные компоненты ... 19
Двухчастотный генератор MGF1001P ... 19
Малошумящие FET и HEMT транзисторы ... 19
Мощные полевые транзисторы ... 21
Мощные широкополосные GaAs полевые транзисторы (внутренне несогласованные) ... 21
Мощные узкополосные GaAs полевые транзисторы (внутренне согласованные) ... 23
Модули и микросхемы ВЧ усилителей мощности ... 29
GaAs микросхемы для портативных телефонов ... 29
GaAs модули для портативных телефонов ... 29
Микросхемы для аппаратуры СВЧ диапазона ... 29
СВЧ GaAs малошумящие усилители ... 29
СВЧ GaAs усилители мощности ... 29
Мощные СВЧ модули и интегральные схемы ... 29
Фильтры на поверхностных акустических волнах ... 30
Рекомендации по применению ... 31
Типы корпусов ... 36
Перечень компонентов, помещенных в справочнике ... 45
Просмотров: 121 
